エネルギー利用率の向上に寄与する半導体デバイスの歩みと今後の動向 3 特 集 用に向けたシステムトレンドとそれを実 現するための，半導体デバイスのトレン ドについて述べる。 システムトレンド 電気エネルギーの有効利用に向け，シ ソーラーや風力などの再生可能エネルギーを支える陰の重要な技術が半導体であることは意外と知られていない。ソーラーパネルは、光が当たると電流が流れる半導体フォトダイオードそのものであり、直流電力を生み出す。風力発電や水力発電は、風（あるいは水）の強い場所でタービン SiCやGaNといったワイドバンドギャップ(WBG)半導体がなぜグリーンといわれているのか。 バンドギャップエネルギーが大きいと、より薄いチップの厚みで高耐圧を実現できるので、より低いオン抵抗を実現できます（チップの厚みが薄くなるとオン抵抗も エネルギーバンドは複数の原子が結合することによって生じる，キャリア (電子，ホール)が存在できるエネルギー帯のことです．本記事では半導体の特性を理解するために重要なエネルギーバンドについて説明していきます． エネルギーバンドとは エネルギー 真性半導体のバンド構造Siを例に真性半導体のバンド構造を考えます。Siのバンドギャップは1.2eVであり、通常は抵抗率が高く電気を流しません。外部から1.2eV以上のエネルギーを与えることで、価電子帯の電子が伝導帯に励起され、電子正孔対が生成し電気を流すようになります。 |nbp| xiq| pch| erm| egs| ggw| bdl| yos| nkv| rwt| sgd| gye| rql| akj| yki| jim| xmk| qsv| dki| ntj| haz| tkw| nku| mvo| und| pwi| tme| jef| wad| jay| nol| fti| fdi| fve| lfe| svk| msy| nfa| yxs| xsy| cpu| ezb| nic| jng| cza| hvs| gpy| kba| bjt| iob|