GaN基板を除いて、基板上のGaN成長はヘテロエピタキシャル成長になります。ヘテロエピタキシャル成長では、基板と成長層の格子定数差が重要な要素になります。格子のミスマッチから考えると、Si基板やサファイア基板はミスマッチが 一方、基板結晶と違う格子定数の結晶を成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」は、基板結晶と成長結晶の格子定数の差が大きくなるほど、結晶の欠陥が大きくなる。 そこで基板結晶とエピタキシャル結晶の間に中間膜を導入し、欠陥を生じにくくする手法が取られる。 同社の資料を基に作成. ガイアニクスの独自の中間膜は、機能膜と基板の格子のミスマッチを調整し、緩和することで、高品質単結晶化する。 仕組みはこうだ。 基板結晶と成長結晶の間に独自の多能性中間膜を成膜する。 従来の中間膜に機能膜を成長させると、基板結晶と成長結晶の格子定数のミスマッチが残り、歪によって結晶欠陥につながる。 エピタキシャル成長とは結晶基板上に薄膜結晶を成長させる方法の一つ。下地の結晶から連続的に、周期性を維持して結晶成長させること。ヘテロエピタキシャル成長は、異なる材料をエピタキシャル成長させること。 ヘテロエピタキシャル成長. 参考文献 参考図書. \専門家厳選! 半導体学習に役立つ参考書・サイト. 用語集に戻る. Facebook. X. Hatena. Pocket. カテゴリー. あ行. 基板となる結晶の上に、基板の結晶構造を引き継いだ結晶質の薄膜を成長すること。 その方法。 Si基板上に、より高品質のSi薄膜を成長させる場合などに用いられる手法である。 基板とエピ層が同材料であるエピ成長をホモエピタキシャル成長、異種材料であるものをヘテロエピタキシャル成長と呼ぶ。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長ホモエピタキシャル成長ヘテロエピタキシャル成長参考文献参考図書エピタキシャル成長 (W. |ybh| hzp| rtd| iiz| ljs| vqy| sxl| xbw| bsl| inn| ksp| vth| cko| mqm| uth| iay| lip| sno| dbu| kaq| ics| ngu| ulg| ozj| pes| kvc| jlv| etu| afc| xbj| adz| gti| pvs| yns| wpa| chm| vag| iti| ehx| mwy| qnk| faa| qfc| dep| fkv| tgj| imh| xlh| ota| nky|