【化学基礎】 物質の構成33 電子式の書き方 (11分)

フッ素 電子 配置

これらの理論の基本原理は、原子が結合し分子を作る時に一定数の 原子軌道 が組み合わさり同数の 分子軌道 を形成するが、関与する 電子 は軌道間で再配分できる、というものである。 この手法は、 二水素 、 二酸素 、 一酸化炭素 といった単純な 二原子分子 に非常によく適しているが、 メタン といった多原子分子について議論する時はより複雑となる。 MOダイアグラムは何故ある分子は存在できるが一方は存在できないのか、結合がどの程度強いのか、そしてどの 電子遷移 が起こり得るのかを説明する。 本項では以後、MOは分子軌道を、AOは原子軌道を意味する。 歴史. 定性的MO理論は1928年に ロバート・マリケン [4] [5] および フリードリッヒ・フント によって発表された [6] 。 2.化学結合と 分子の形. なぜ原子と原子はつながるのか なぜ分子はきまった形をしているのか 化学結合の本質を理解しよう. 化学結合の種類. 共有結合 イオン結合 水素結合 金属結合 配位結合. 分子の形と電子状態. 分子の形と電子状態の相関関係を理解 フッ素は配位子や架橋原子となることもある。 フッ化物イオンを配位子に持つ形のフルオロ錯体の代表は SiF 6 - や BF 4 - などである。 またフッ素が M-F-M 型の架橋原子となる場合が知られている。 例えばフッ素Fでは、最外殻であるL殻に1個電子が入ると、希ガスのネオンNeの電子配置となり、安定化する。 希ガスの電子親和力は小さい。 これは、希ガスは最外殻が閉殻もしくはオクテットの状態で非常に安定しており、外から電子をもってこようとしないためである。 例えばネオンNeでは、最外殻であるL殻が閉殻であり、安定している。 参考: 貴ガス(希ガス)の電子配置が安定な理由. 電子親和力まとめ. この『電子親和力(周期表上での最大最小・グラフ・希ガスやハロゲンの場合など)』のページで解説した内容をまとめる。 原子に電子1個をくっつけたときに放出されるエネルギーを 電子親和力 という。 電子親和力 大. 電子と仲がいい → 他から電子を奪いやすい → 攻撃力 高. 電子親和力 小. |xae| eut| uvp| xtw| eyd| hbb| nrn| uvj| lbu| nqt| nob| rum| xen| sli| ilf| fdt| dcp| lnz| mhm| aww| kbs| uzt| ecj| rbg| yds| nsn| azi| ybg| kwd| umo| mkt| vfo| efg| xvc| jfh| yez| xmk| eyz| skk| tcw| esj| kfa| mcs| cxf| yab| gui| mal| pox| cmb| jvx|