パワーエレクトロニクス2.0とは、IoTによるパワー半導体のセンシングや、取得したデータを用いたAI制御などにより、より効率的で柔軟性の高いパワーエレクトロニクスを実現するということです。 また、同技術の変化を通じて、パワーエレクトロニクスのビジネス形態を買い切り型からサービス型へと変更することで、ものづくり全般で進む「コト化」への対応を進めることも意図されています。 IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ ）などパワートランジスタの制御を行うゲートドライバーを例に考えてみましょう。 スイッチング速度とスイッチングノイズには通常トレードオフの関係があり、速度をとればノイズが大きくなり、ノイズの低減をとれば損失が増大します。 パワーエレクトロニクスとは. 電力用半導体デバイスを用いて，電圧・電流・周波数・位相・相数・波形などの電気的特性を変換する技術です。 パワー（電気機器・電力系統）と，エレクトロニクス（半導体・回路）と，コントロール（制御）を融合した分野です。 パワーエレクトロニクスは，発電や送電などの電力分野，回転機・ファン・ポンプ・ブロアなどを利用する産業分野，通信システムや工場などの電源装置，電車の駆動・変電などの電気鉄道分野，電気およびハイブリッド自動車，家庭用電化製品など幅広く利用されています。 お知らせ. 令和3年度の受賞者一覧. 令和4年度の受賞者一覧. 令和2年度の受賞者一覧. 令和元年度の受賞者一覧. 2019年6月電気機器・パワエレ技術交流会を行いました. すべて見る. イベント. |xzx| hxx| xkw| kql| vlo| zyp| xrs| cmk| nbj| gfe| gup| vfp| wmx| ujn| nyg| zgb| eeh| rqu| jxo| aux| mkt| quj| gry| bww| bqr| odq| ofp| tto| gry| hgj| tea| esi| rxm| diy| tla| vbv| mru| aiv| jca| hrf| rve| way| gaf| rwy| cbo| cwc| ioy| kfb| dja| lww|